實(shí)驗(yàn)室用納米CVD石墨烯/碳納米管合成器技術(shù)

發(fā)布日期：2023-03-24      瀏覽次數(shù)：770

實(shí)驗(yàn)室用納米CVD石墨烯/碳納米管合成器技術(shù)




? 型號(hào)。 納米CVD-8G（用于石墨烯合成）
?型號(hào)。 納米CVD-8N（用于碳納米管）

每批僅需 1 分鐘，可輕松合成高質(zhì)量石墨烯和碳納米管

CVD（化學(xué)氣相沉積）

CVD法是一種穩(wěn)定的技術(shù)，已經(jīng)建立了多種用途，它是未來(lái)大規(guī)模合成石墨烯和碳納米管的最現(xiàn)實(shí)的方法，因此我們?cè)谶@臺(tái)機(jī)器中采用了CVD方法。 制造商Moorfield與英國(guó)國(guó)家研究所合作，多次驗(yàn)證了這種薄膜沉積實(shí)驗(yàn)裝置。 在與研究機(jī)構(gòu)的合作下，已經(jīng)驗(yàn)證了使用拉曼光譜，SEM，AFM等分析數(shù)據(jù)可以制備高質(zhì)量的石墨烯和CNT樣品。


冷壁CVD

采用冷壁/高溫樣品加熱臺(tái)（熱板），反應(yīng)快，重現(xiàn)性好。 設(shè)備小型化，加工時(shí)間縮短，可操作性強(qiáng)，可創(chuàng)建并存儲(chǔ)30種合成配方。 除了標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)配置外，還可以根據(jù)要求定制設(shè)備配置。 nanoCVD系統(tǒng)是一種實(shí)驗(yàn)裝置，盡管體積小，但具有為基礎(chǔ)研究和開(kāi)發(fā)領(lǐng)域做出貢獻(xiàn)的無(wú)限潛力。

技術(shù)特點(diǎn)

• 無(wú)需使用大型設(shè)備即可輕松進(jìn)行石墨烯碳納米管 （SWNT） 沉積實(shí)驗(yàn)

• 1批次只需30分鐘！

• 冷壁式高效高精度過(guò)程控制

• 快速升溫：室溫→1100°C約3分鐘

• 高性能機(jī)器，具有高精度的溫度流量控制和出色的可重復(fù)性

• 操作簡(jiǎn)單！ 通過(guò) 5 英寸觸摸屏進(jìn)行操作和配方管理

• 最多可創(chuàng)建和保存 30 個(gè)配方和 30 步合成程序。

• 標(biāo)配專(zhuān)用軟件，數(shù)據(jù)記錄為輸出PC上的CSV文件

• USB電纜連接，PC端的配方創(chuàng)建→上傳到設(shè)備

納米CVD-8N（碳納米管）



帶旋轉(zhuǎn)泵的納米CVD-8N

nanoCVD-8N是一種通過(guò)CVD化學(xué)氣相沉積法使用各種基質(zhì)和催化劑在短時(shí)間內(nèi)生長(zhǎng)CNT的系統(tǒng)。 碳納米管是通過(guò)將 CH2、C2H3 和 C3H4 等烴原料與薄膜或細(xì)顆粒（如鐵、鈷和鎳）反應(yīng)產(chǎn)生的，這些薄膜或細(xì)顆粒用作催化劑，在石墨臺(tái)上使用 SiO1100/Si、Al4O2/Si 和 Si4N2 等基材在高達(dá) 2°C 的高溫下燃燒。



寬度為7um的低覆蓋率的SEM圖像



高覆蓋寬度2.8um的SEM圖像



使用納米CVD-8N制作的“SWNT森林"的SEM圖像，圖像寬度24um）



原子力顯微鏡圖像

 

拉曼光譜514nm激光器

 




D&G拉曼峰區(qū)域