2ω法納米薄膜導熱儀TCN-2ω技術解析

發(fā)布日期：2021-09-28      瀏覽次數：1075

2ω法納米薄膜導熱儀TCN-2ω技術解析



該裝置是目前世界上唯yi使用2ω法測量納米薄膜厚度方向熱導率的商用裝置。與其他方法相比，樣品制作和測量更容易。

用

• 量化低K絕緣膜的熱阻，用于半導體器件的熱設計

• 絕緣膜的開發(fā)與散熱的改善

• 熱電薄膜應用評價

特征

• 可以測量在厚度方向上形成在基板上的 20 到 1000 nm 的薄膜的熱導率。

• 使用熱反射法通過溫度幅度檢測實現測量

• 測量樣品的簡單預處理

規(guī)格

測量溫度	轉播時間
樣品尺寸	寬度 10 毫米 x 長度 10 至 20 毫米 x 厚度 0.3 至 1 毫米（板）
測量氣氛	在真空中